Створено технологію, яка дозволить пристроям зберігати дані при неймовірній температурі до 600°C
Дослідники з Університету Пенсільванії розробили термостійкий пристрій пам’яті, який може витримувати температуру понад 1000°F.
Вимкнення смартфона через спеку і перегрів – це класична проблема сучасних гаджетів. Електронна пам’ять у цих пристроях не створена для роботи при високих температурах. Ось чому цей винахід вчених такий дивовижний.
У статті, опублікованій в журналі Nature Electronics, двоє вчених – Діп Джарівала та Рой Олссон з Університету Пенсільванії – та їхні команди зі Школи інженерії та прикладних наук продемонстрували технологію пам’яті, здатну витримувати температуру до 600° за Цельсієм. Це більш ніж у два рази перевищує межі будь-яких комерційних накопичувачів на ринку. І ці характеристики зберігалися протягом понад 60 годин, що свідчить про виняткову стабільність і надійність.
Винахід команди не тільки допоможе створювати нові датчиків для інструментів, які повинні працювати в екстремальних умовах, але також відкриє двері для систем штучного інтелекту, які вміють працювати з обчисленнями з великою кількістю даних у суворих умовах.
«Від глибокого буріння до дослідження космосу наші високотемпературні пристрої пам’яті можуть призвести до передових обчислень, у яких інша електроніка та пристрої пам’яті будуть давати збої», — каже Джарівала. «Йдеться не лише про вдосконалення пристроїв; мова йде про відкриття нових рубежів у науці та технологіях».
Команда розробила пристрій, який класифікується як енергонезалежний, тобто він зберігає інформацію, що зберігається на ньому, не потребуючи активного джерела живлення, подібного до того, що щодня використовується в побутовій електроніці в будь-якому пристрої з жорстким диском або флеш-накопичувачем. Однак, на відміну від інших традиційних флеш-накопичувачів на основі кремнію, які починають виходити з ладу при температурі близько 200° за Цельсієм (392 за Фаренгейтом), дослідники розробили свій, використовуючи матеріал, відомий як сегнетоелектричний нітрид скандію алюмінію (AlScN).
Пристрій пам’яті складається зі структури метал–ізолятор–метал, що включає нікелеві та платинові електроди з тонким (45 нанометрів) шаром AlScN, і товщина тут є ключовим фактором.
Підпишись на нас в Google НОВИНИ, та отримуй більше свіжих новин!